產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，6-DFN2020MD
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
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PMPB215ENEAX 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMPB215ENEAX
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：80V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：230 毫歐 @ 1.9A， 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：215pF @ 40V
- 功率 - 最大值：1.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：6-DFN2020MD （2x2）
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