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- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:單端場效應管,8-SO
- 技術參數:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
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PHK04P02T,518 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號:PHK04P02T,518
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):16V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4.66A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):528pF @ 12.8V
- 功率 - 最大值:5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SO
- PHK04P02T,518優勢代理貨源,國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
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