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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，DPAK
- 技術參數：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
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PHD9NQ20T,118 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PHD9NQ20T,118
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：959pF @ 25V
- 功率 - 最大值：88W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：DPAK
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