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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應管陣列，20-SO
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
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BUK9MJT-55PRF,518 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號：BUK9MJT-55PRF,518
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：55V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：13.8 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
- 功率 - 最大值：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
- 供應商器件封裝：20-SO
- BUK9MJT-55PRF,518優勢代理貨源，國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
