產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，LFPAK56D
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
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BUK9K29-100E,115 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：BUK9K29-100E,115
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
- 系列：TrenchMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：30A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：27 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：54nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3491pF @ 25V
- 功率 - 最大值：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-1205， 8-LFPAK56
- 供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D
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