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- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:RF FET,SOT-1223-2
- 技術參數:POWER LDMOS TRANSISTOR
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BLP05H6110XRY 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號: BLP05H6110XRY
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 功能總體簡述: POWER LDMOS TRANSISTOR
- 系列: -
- 晶體管類型: LDMOS(雙),共源
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
- 頻率: 108MHz
- 增益: 27dB
- 頻率 - 躍遷: -
- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值): -
- 電壓 - 測試: 50V
- 額定電流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪聲系數: -
- 不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
- 電流 - 測試: 20mA
- 功率 - 輸出: 110W
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
- 安裝類型: -
- 電壓 - 額定: 135V
- 封裝/外殼: SOT-1223-2
- 供應商器件封裝:
- BLP05H6110XRY優勢代理貨源,國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
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