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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻，封裝：微型-X 陶瓷 84C
- 技術參數：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
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MRF581G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MRF581G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：NPN
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：18V
- 頻率-躍遷：5GHz
- 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：13dB ~ 15.5dB
- 功率-最大值：1.25W
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：50 @ 50mA，5V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：200mA
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：微型-X 陶瓷 84C
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