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Microsemi
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
JANTXV2N6849 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:TO-205AF(TO-39)
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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JANTXV2N6849 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):JANTXV2N6849
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:Military, MIL-PRF-19500/564
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6.5A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):320 毫歐 @ 6.5A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):34.8nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-205AF(TO-39)
  • JANTXV2N6849優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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