產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管模塊，SP4
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
APTM100A18FTG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM100A18FTG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
- 系列：-
- FET 類型：2 個(gè) N 通道（半橋）
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：43A
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 21.5A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：372nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：10400pF @ 25V
- 功率 - 最大值：780W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP4
- 供應(yīng)商器件封裝：SP4
- APTM100A18FTG優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)