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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場效應管模塊，SP6
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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APTM100A13DG 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTM100A13DG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：65A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1250W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP6
- 供應商器件封裝：SP6
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