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APTGT30A170D1G 圖片
  • 制造廠商：美高森美
  • 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：D1
  • 技術參數：IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
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APTGT30A170D1G 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：APTGT30A170D1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
  • 描述：IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
  • 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態：停產
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 配置：半橋
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1700V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：45A
  • 功率-最大值：210W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
  • 電流-集電極截止（最大值）：3mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies)：2.5nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC熱敏電阻：無
  • 工作溫度：-
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：D1
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