產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：IGBT模塊，SP3
- 技術參數(shù)：POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APTGL60TL120T3G 技術參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTGL60TL120T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 配置：三級反相器
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
- 功率 - 最大值：280W
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.2V @ 15V，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：1mA
- 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：2.77nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC 熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP3
- 供應商器件封裝：SP3
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