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Microsemi
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APTC60AM83B1G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SP1
  • 技術參數:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APTC60AM83B1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APTC60AM83B1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:CoolMOS?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路)
  • FET功能:超級結
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):36A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):83 毫歐 @ 24.5A、 10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V
  • 功率-最大值:250W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP1
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