產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 121A 520W TO-247
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT68GA60B2D40 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT68GA60B2D40
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247
- 系列：POWER MOS 8?
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：121A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：202A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值：520W
- Switching Energy：715μJ （開）， 607μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：198nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：21ns/133ns
- Test Condition：400V, 40A, 4.7 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：*
- APT68GA60B2D40優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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