產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單端場效應管，T-MAX
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT66M60B2 技術參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT66M60B2
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：70A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 33A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13190pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1135W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 供應商器件封裝：T-MAX [B2]
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