產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類(lèi)別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，T-MAX
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
APT66M60B2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號(hào)：APT66M60B2
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- 系列：-
- FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：70A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 33A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13190pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1135W
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝：T-MAX [B2]
- APT66M60B2優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)