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Microsemi
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APT50GT120B2RDLG 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3 變式
  • 技術參數:IGBT 1200V 106A 694W TO-247
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APT50GT120B2RDLG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APT50GT120B2RDLG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:Thunderbolt IGBT?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:NPT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):106A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:694W
  • 開關能量:3585μJ(開),1910μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:240nC
  • 25°C時Td(開/關)值:23ns/215ns
  • 測試條件:800V,50A,4.7 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3 變式
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