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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：IGBT模塊，ISOTOP
- 技術參數：IGBT 600V 100A 329W SOT227
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APT50GP60J 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT50GP60J
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 329W SOT227
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類型：PT
- 配置：單一
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
- 功率 - 最大值：329W
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：500μA
- 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：5.7nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC 熱敏電阻：無
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
- 供應商器件封裝：ISOTOP
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