產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 技術參數(shù)：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
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APT40GP60SG 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APT40GP60SG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，40A
- 功率-最大值：543W
- 開關能量：385μJ（開），352μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：135nC
- 25°C時Td（開/關）值：20ns/64ns
- 測試條件：400V，40A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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