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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術參數：IGBT 1200V 94A 379W TO264
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APT35GN120L2DQ2G 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT35GN120L2DQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 1200V 94A 379W TO264
- 系列：-
- IGBT 類型：NPT，溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：94A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：105A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.1V @ 15V，35A
- 功率 - 最大值：379W
- Switching Energy：2.315mJ （關）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：220nC
- 25°C 時 Td（開/關）值：24ns/300ns
- Test Condition：800V, 35A, 2.2 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：*
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