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Microsemi
熱門產品型號
產品參考圖片
APT31M100B2 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:單端場效應管,T-MAX
  • 技術參數:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APT31M100B2 技術參數詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT31M100B2
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):32A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1040W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-247-3 變式
  • 供應商器件封裝:T-MAX [B2]
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