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Microsemi
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
APT19F100J 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:場效應(yīng)管模塊,ISOTOP
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APT19F100J 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT19F100J
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):440 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:460W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP
  • APT19F100J優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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