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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術參數：IGBT 600V 41A 187W TO247
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APT11GP60BDQBG 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：APT11GP60BDQBG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 41A 187W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：POWER MOS 7?
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：41A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，11A
- 功率-最大值：187W
- 開關能量：46μJ（開），90μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：40nC
- 25°C時Td（開/關）值：7ns/29ns
- 測試條件：400V，11A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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