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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Microsemi
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
APT10035B2FLLG 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類(lèi)別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,T-MAX
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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APT10035B2FLLG 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號(hào):APT10035B2FLLG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  • 系列:POWER MOS 7
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):28A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):370 毫歐 @ 14A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):186nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5185pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:690W
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-247-3 變式
  • 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX [B2]
  • APT10035B2FLLG優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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