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Microsemi
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1N821A, SEL. 1% VBR 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:二極管 - 齊納 - 單,封裝:DO-204AH,DO-35,軸向
  • 技術參數:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
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1N821A, SEL. 1% VBR 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:1N821A, SEL. 1% VBR
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  • 系列:二極管 - 齊納 - 單
  • 零件狀態:有源
  • 電壓-齊納(標稱值)(Vz):6.2V
  • 容差:±1%
  • 功率-最大值:500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同Vr時電流-反向泄漏:2μA @ 3V
  • 不同If時電壓-正向(Vf):-
  • 工作溫度:-65°C ~ 175°C
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:DO-204AH,DO-35,軸向
  • 1N821A, SEL. 1% VBR優勢代理貨源,國內領先的美高森美芯片采購服務平臺。
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