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Micron
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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR 圖片
  • 制造廠商:美光
  • 類別封裝:存儲器,產品封裝:132-VBGA
  • 技術參數:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 豐富的美光公司產品,美光芯片采購平臺
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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 產品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態:不適用於新設計
  • 存儲器類型:非易失
  • 存儲器格式:閃存
  • 技術:閃存 - NAND
  • 存儲容量:512Gb(64G x 8)
  • 存儲器接口:并聯
  • 時鐘頻率:333MHz
  • 寫周期時間-字,頁:-
  • 訪問時間:-
  • 電壓-供電:2.5V ~ 3.6V
  • 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產品封裝:132-VBGA
  • MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR優勢代理貨源,國內領先的美光芯片采購服務平臺。
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