產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美光
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
- 豐富的美光公司產(chǎn)品，美光芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲(chǔ)器類型：非易失
- 存儲(chǔ)器格式：閃存
- 技術(shù)：閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量：3Tb（384G x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：333MHz
- 寫周期時(shí)間-字，頁：-
- 訪問時(shí)間：-
- 電壓-供電：2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：-
- 產(chǎn)品封裝：-
- MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美光芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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