產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Maxim（美信半導(dǎo)體）
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.600，15.24mm）
- 技術(shù)參數(shù)：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
- 豐富的Maxim公司產(chǎn)品，Maxim芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
DS1230Y-120IND+ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DS1230Y-120IND+
- 制造商：Maxim Integrated（美信半導(dǎo)體,已被AD/ADI收購(gòu)）
- 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：管件
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲(chǔ)器類型：非易失
- 存儲(chǔ)器格式：NVSRAM
- 技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲(chǔ)容量：256Kb（32K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：-
- 寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：120ns
- 訪問時(shí)間：120ns
- 電壓-供電：4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.600，15.24mm）
- DS1230Y-120IND+優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Maxim芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Maxim代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)