產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Littelfuse（力特半導體）
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 580A 1925W D3
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MG12400D-BN2MM 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MG12400D-BN2MM
- 制造商：Littelfuse（力特半導體）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 580A 1925W D3
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：580A
- 功率-最大值：1925W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，400A（標準）
- 電流-集電極截止（最大值）：2mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：28nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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