產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：英飛凌
- 類(lèi)別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，PG-TO252-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SPD18P06P G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：SPD18P06P G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- 系列：SIPMOS
- FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18.6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：860pF @ 25V
- 功率 - 最大值：80W
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
- SPD18P06P G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)