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產品參考圖片
SIHB33N60E-GE3 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:-
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V D2PAK
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SIHB33N60E-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SIHB33N60E-GE3
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:*
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:-
  • 技術:-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):-
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:-
  • 器件封裝:-
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