產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 75A DIE
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺(tái)
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SIGC84T120R3LEX1SA7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIGC84T120R3LEX1SA7
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1200V 75A DIE
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：*
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：225A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
- 功率-最大值：-
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：-
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：-
- 封裝：-
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