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Infineon
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IRLHM630TRPBF 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PQFN(3x3)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
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IRLHM630TRPBF 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IRLHM630TRPBF
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:HEXFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):21A(Ta),40A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.5 毫歐 @ 20A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.1V @ 50μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):62nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3170pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),37W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PQFN(3x3)
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