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Infineon
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IRG8P15N120KD-EPBF 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術參數(shù):IGBT 1200V 30A TO247AD
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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IRG8P15N120KD-EPBF 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:IRG8P15N120KD-EPBF
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:IGBT 1200V 30A TO247AD
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):30A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:125W
  • 開關能量:600μJ(開),600μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:98nC
  • 25°C時Td(開/關)值:15ns/170ns
  • 測試條件:600V,10A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):60ns
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
  • IRG8P15N120KD-EPBF優(yōu)勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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