產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IRG4BC30FD-S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRG4BC30FD-S
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：31A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，17A
- 功率-最大值：100W
- 開(kāi)關(guān)能量：630μJ（開(kāi)），1.39mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：51nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：42ns/230ns
- 測(cè)試條件：480V，17A，23 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：42ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- IRG4BC30FD-S優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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