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Infineon
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
IPI030N10N3 G 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PG-TO262-3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  • 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
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IPI030N10N3 G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:IPI030N10N3 G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 275μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):206nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3
  • IPI030N10N3 G優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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