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Infineon
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IPG20N10S4L35AATMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerVDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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IPG20N10S4L35AATMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IPG20N10S4L35AATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):20A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 17A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.1V @ 16μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):17.4nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1105pF @ 25V
  • 功率-最大值:43W
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝,可潤濕側翼
  • 封裝:8-PowerVDFN
  • IPG20N10S4L35AATMA1優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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