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IPD65R650CEATMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO252-3
  • 技術參數:MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
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IPD65R650CEATMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IPD65R650CEATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:CoolMOS?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):10.1A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):650 毫歐 @ 2.1A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 0.21mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):440pF @ 100V
  • FET功能:超級結
  • 功率耗散(最大值):86W(Tc)
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO252-3
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