產品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-TO252-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
IPD65R1K4CFDBTMA1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IPD65R1K4CFDBTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：CoolMOS?
- 零件狀態：停產
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：2.8A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：262pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TO252-3
- IPD65R1K4CFDBTMA1優勢代理貨源，國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
芯片采購網專注整合國內外授權Infineon代理的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺