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Infineon
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
IMBG120R045M1HXTMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO263-7-12
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
  • 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
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IMBG120R045M1HXTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IMBG120R045M1HXTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:CoolSiC?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):47A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):63 毫歐 @ 16A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 7.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):46nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1.527nF @ 800V
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 功率耗散(最大值):227W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO263-7-12
  • IMBG120R045M1HXTMA1優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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