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Infineon
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IMBG120R030M1HXTMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO263-7-12
  • 技術參數:TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263
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IMBG120R030M1HXTMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IMBG120R030M1HXTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:CoolSiC?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiC(碳化硅結晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):56A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):41 毫歐 @ 25A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 11.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):63nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2.29nF @ 800V
  • FET功能:標準
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO263-7-12
  • IMBG120R030M1HXTMA1優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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