產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-4
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IKZ75N65EH5XKSA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKZ75N65EH5XKSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：TrenchStop? 5
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：90A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
- 功率-最大值：395W
- 開(kāi)關(guān)能量：680μJ（開(kāi)），430μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：166nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：26ns/347ns
- 測(cè)試條件：400V，37.5A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：58ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-4
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