產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IKD06N60RC2ATMA1
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IKD06N60RC2ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKD06N60RC2ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IKD06N60RC2ATMA1
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：TrenchStop?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：11.7A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：18A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，6A
- 功率-最大值：51.7W
- 開關(guān)能量：170μJ（開），80μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：31nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：6ns/129ns
- 測(cè)試條件：400V，6A，49 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：98ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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