產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
IKB03N120H2ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKB03N120H2ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：9.6A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：9.9A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
- 功率-最大值：62.5W
- 開(kāi)關(guān)能量：290μJ
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：22nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：9.2ns/281ns
- 測(cè)試條件：800V，3A，82 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：42ns
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- IKB03N120H2ATMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)