產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IHW30N100R 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IHW30N100R
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
- 功率-最大值：412W
- 開關(guān)能量：2.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：209nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-/846ns
- 測(cè)試條件：600V，30A，26 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- IHW30N100R優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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