產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PG-TDSON-8
- 技術(shù)參數(shù)：IAUC60N04S6L039ATMA1
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IAUC60N04S6L039ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IAUC60N04S6L039ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IAUC60N04S6L039ATMA1
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：60A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.02 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1179pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：42W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TDSON-8
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