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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-SOT223-4
- 技術參數：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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BSP149 L6327 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSP149 L6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列：SIPMOS
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：耗盡模式
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：660mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.8 歐姆 @ 660mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 400μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：430pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商器件封裝：PG-SOT223-4
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