產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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BSO211PNTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSO211PNTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：OptiMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.7A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23.9nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：920pF @ 15V
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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