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Infineon
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產品參考圖片
BSO200P03S H 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-DSO-8
  • 技術參數:MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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BSO200P03S H 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSO200P03S H
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):7.4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9.1A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):54nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2330pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.56W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:PG-DSO-8
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