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Infineon
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
BSC123N08NS3 G 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-TDSON-8
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  • 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
  • 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準,滿足您的目標價格
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BSC123N08NS3 G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSC123N08NS3 G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11A(Ta),55A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 33A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1870pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:66W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • BSC123N08NS3 G優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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