產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH 40<-<100V
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BSC112N06LDATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSC112N06LDATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：TRENCH 40<-<100V
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：OptiMOS?-T2
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：11.2 毫歐 @ 17A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 28μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4020pF @ 30V
- 功率-最大值：65W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
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